Дата:   24.11.2017 г.
Время:
 
 
Профессионалам и любителям
ПРОСТО * ДОСТУПНО * ИНТЕРЕСНО
01796
Подписной
индекс
Опрос
Нужен ли в журнале кроссворд?
Погода
 
Архив - П А М Я Т Ь - Журнал «Компьютер»
П А М Я Т Ь
№ 3-4'2003     Тема: Железо     ( Прочитано 7227 раз )
 
Одним из важнейших устройств компьютера является память, или Оперативное Запоминающее Устройство (ОЗУ). По классическому определению, ОЗУ - "функциональная часть вычислительной машины, предназначенная для записи, хранения и выдачи информации, представленной в цифровом виде". Однако под это определение подпадает как собственно память, так и внешние запоминающие устройства (типа накопителей на жестких и гибких дисках, магнитной ленты, CD-ROM), которые лучше отнести к устройствам ввода/вывода информации. Поэтому под компьютерной памятью мы в дальнейшем будем подразумевать только "внутреннюю" память компьютера: ОЗУ, ПЗУ, кэш-память и флэш-память.
О том, насколько важна роль ОЗУ в обеспечении высокой производительности Вашего компьютера, можно судить по такой фразе, обычной в устах программера: "В моей тачке 64 метра "мозгов"!", - что в переводе на русский означает: объем оперативной памяти его ПК составляет 64 мегабайта. Но давайте по порядку…
 
Немного истории
 
Элементная база компьютеров первого поколения была крайне ненадежной. Так, среднее время работы до отказа для ЭВМ "ENIAC" составляло 30 минут. Скорость счета при этом была несравнима со скоростью счета современных компьютеров. Поэтому требования к сохранению данных в памяти компьютера при отказе ЭВМ были строже, чем требования к быстродействию оперативной памяти. Вследствие этого в ЭВМ использовалась энергонезависимая память.
 
Компьютерная память
 
Энергонезависимая память позволяла хранить введенные в нее данные продолжительное время (до одного месяца) даже при отключении питания. Для этого использовались магнитные сердечники, изготовленные из специальных материалов - ферритов. Простейший элемент памяти емкостью в 1 бит представлял собой ферритовый тор с двумя обмотками - записи и чтения. Память на ферритовых сердечниках работала медленно и неэффективно: ведь на перемагничивание сердечника требовалось время и затрачивалось много электрической энергии. Поэтому с повышением надежности элементной базы ЭВМ энергонезависимая память стала вытесняться энергозависимой - более быстрой, экономной и дешевой. Данные в такой памяти хранятся, само собой, пока компьютер включен. Более того, даже перезагрузка ПК вызывает обнуление ОЗУ. Именно поэтому советуем Вам почаще сохранять на винчестере файл с которым работаете, - будь то документ, в который Вы просто набираете текст, картинка, которую Вы обрабатываете в Photoshop’е или же база данных, - в случае сбоя, после перезагрузки Вам придется довольствоваться тем, что Вы успели сохранить на жестком диске (выполнить команду Save или Сохранить).
 
Компьютерная память
Мозги для компьютера
 
Вот почему ученые разных стран по-прежнему ведут работы по поиску быстрой энергонезависимой памяти, которая могла бы работать в ЭВМ для особо важных приложений, прежде всего военных. Так, в прошлом номере "Компьютера" уже упоминались разработки IBM по созданию MRAM - магнитной памяти.
 
Полупроводниковая память: развитие сдерживал SRAM
 
В отличие от памяти на ферритовых сердечниках полупроводниковая память энергозависима и при выключении питания ее содержимое теряется.
Несомненными же преимуществами полупроводниковой памяти являются:
- малая рассеиваемая мощность (меньше нагревается);
- высокое быстродействие (гораздо быстрее того же жесткого диска - винчестера);
- компактность.
Эти преимущества намного перекрывают недостатки полупроводниковой памяти, что делает ее незаменимой в ОЗУ современных компьютеров.
Полупроводниковая оперативная память в настоящее время подразделяется на статические ОЗУ (SRAM) и динамические ОЗУ (DRAM).
 
Компьютерная память
Компьютерная память
Память для принтера: очень легко вставляется и весьма ощутимо увеличивает быстродействие принтера
  
Базовым элементом появившихся первыми статических ОЗУ являлся триггер - устройство на транзисторах, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний (0 или 1), и под воздействием внешнего сигнала способное менять состояние (переключаться). Таким образом, триггер может служить ячейкой памяти, хранящей один бит информации. Однако, с течением времени становилось все более очевидным, что дороговизна "триггерной" памяти является основным препятствием на пути массового производства компьютеров и наращивания объемов ОЗУ.
 
DRAM-тарарам: что это такое?
 
Чтобы удешевить оперативную память, в 90-х годах XX века вместо статического ОЗУ на триггерах стали использовать динамическое ОЗУ (DRAM). Принцип устройства DRAM следующий: система "металл-диэлектрик-полупроводник" работает как конденсатор. Известно, что конденсатор способен некоторое время "держать" электрический заряд. Обозначив "заряженное" состояние как 1 и "незаряженное" как 0, мы получим ту же ячейку памяти емкостью 1 бит. Поскольку заряд на конденсаторе рассеивается через некоторый промежуток времени (который зависит от качества материала и технологии его изготовления), то его необходимо периодически "подзаряжать" (регенерировать), считывая и вновь записывая в него данные. Отсюда и возникло понятие "динамическая" для этого вида памяти.
Динамическое ОЗУ со времени своего появления прошло несколько стадий роста, и процесс его совершенствования не останавливается и сейчас. DRAM несколько раз меняла свой внешний вид. Вначале микросхемы динамического ОЗУ производились в DIP-корпусах. Затем их сменили модули, состоящие из нескольких микросхем: SIPP, SIMM и, наконец, DIMM и RIMM. Остановимся на каждой из разновидностей поподробнее.
DIP-корпус - это самая "древняя" реализация DRAM. Обычно это микросхема в маленьком черном корпусе из пластмассы, по обеим сторонам которого располагаются металлические контакты.
Микросхемы (по-другому, чипы) динамического ОЗУ устанавливаются так называемыми банками. Банки бывают на 64, 256 Кбайт, 1 и 4 Мбайт. Каждый банк состоит из девяти отдельных одинаковых чипов. Из них восемь чипов предназначены для хранени информации, а девятый чип служит для проверки четности остальных восьми микросхем этого банка.
Следует отметить, что памятью с DIP-корпусами комплектовались персональные компьютеры с микропроцессорами i8086/88, i80286 и, частично, i80386SX/DX. Установка и замена этого вида памяти была непростой задачей. Мало того, что приходилось подбирать чипы для банков памяти одинаковой разрядности и емкости. Приходилось прилагать усилия и смекалку, чтобы чипы правильно устанавливались в разъемы. К тому же необходимо было не разрушить контакты механически, не повредить их инструментом, статическим электричеством, грязью и т.п. Поэтому уже в компьютерах с процессором i80386DX эти микросхемы стали заменять модули памяти SIPP и SIMM.
 
SIPP (SIP) -модули памяти
 
Одной из незаслуженно забытых конструкций модулей памяти являются SIPP-модули. Эти модули представляют собой маленькие платы с несколькими напаянными микросхемами DRAM.
SIPP является сокращением слов Single Inline Package. SIPP-модули соединялись с системной платой с помощью контактных штырьков. Под контактной колодкой находились 30 маленьких штырьков, которые вставлялись в соответствующую панель системной платы .
 
SIMM-модули
 
Аббревиатура SIMM расшифровывается как Single Inline Memory Module (модуль памяти с однорядным расположением выводов.) Он включает в себя все то, что для DIP называлось банком.
Модули SIMM могут иметь объем 256 Кбайт, 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Мбайт. Соединение SIMM-модулей с системной платой осуществляется с помощью колодок.
Модуль вставляется в пластмассовую колодку под углом 70 градусов, а потом зажимается пластмассовым держателем. При этом плата встает вертикально. Специальные вырезы на модуле памяти не позволят поставить его неправильным образом.
Модули SIMM для соединения с системной платой имеют не штырьки, а позолоченные полоски (так называемые pin (пины)).
SIMM-модули в своем развитии прошли два этапа. Первыми представителями SIMM-модулей были 30-пиновые SIMM FPM DRAM. Их максимальная частота работы - 29 МГц. Стандартным же временем доступа к памяти считались 70 наносекунд. Эти модули уже с трудом работали на компьютерах с микропроцессорами i80486DX2 и были вытеснены сначала 72-пиновыми FPM DRAM, а затем EDO RAM.
SIMM EDO RAM имеют только 72 пина и могут работать на частоте до 50 МГц. Этими модулями памяти оснащались компьютеры с процессорами Intel 80486DX2/DX4, Intel Pentium, Pentium Pro и Pentium MMX, а также AMD 80586 и K5. Эти модули устанавливались на платах с чипсетом Intel 440TX, 440EX, 440LX, 450NX; VIA Apollo MVP 3/4, Pro/Pro+; ALI Alladin 4/4+/V/PRO II, ALI Alladin TNT2.
Несмотря на небольшие конструктивные различия, и FPM, и EDO RAM делаются по одной и той же технологии, поэтому скорость их работы примерно одна и та же: и FPM, и EDO RAM имеют одинаковое время считывания первой ячейки - 60 -70 нс.
Несмотря ни на какие ухищрения, модули SIMM не могут работать на частоте локальной шины PCI, превышающей 66 МГц. С появлением в 1996 году процессора Intel Pentium II и чипсета Intel 440BX частота локальной шины возросла до 100 МГц, что заставило производителей динамического ОЗУ перейти на другие технологии, прежде всего DIMM SDRAM.
Тем не менее, модули SIMM до сих пор присутствуют на рынке, и 16 Мб обойдутся Вам в сумму около 10 у.е.
 
Семейство с DIMM-разъемом
 
Аббревиатура DIMM расшифровывается как Dual Inline Memory Module (модуль памяти с двойным расположением выводов). В модуле DIMM имеется 168 контактов, которые расположены с двух сторон платы и разделены изолятором. Также изменились и разъемы для DIMM-модулей.
Следует отметить, что разъем DIMM имеют много разновидностей DRAM. К тому же вплоть до последнего времени модули DIMM не имели средств самоконфигурирования (в отличие от SIMM-модулей). Поэтому для облегчения выбора нужного модуля пользователям на материнских платах разные типы DIMM имеют от одного до трех вырезов на модуле памяти. Они страхуют от неправильного выбора и неправильной установки модулей памяти.
 
SDRAM раз!
 
Аббревиатура SDRAM расшифровывается как Synchronic DRAM (динамическое ОЗУ с синхронным интерфейсом). Этим они отличаются от FPM и EDO DRAM, работающих по асинхронному интерфейсу.
С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончит выполнение своих внутренних операций. Они обычно занимают 60 нс. В DRAM с синхронным управлением происходит защелкивание информации от процессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса, сигналы управления и данных. Это позволяет процессору выполнять другие задачи. После определенного количества циклов данные становятся доступными, и процессор может их считывать. Таким образом, уменьшается время простоя процессора во время регенерации памяти.
Другое преимущество синхронного интерфейса - это то, что системные часы задают временные границы, необходимые DRAM. Это исключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов, обязательных для асинхронного интерфейса. Что, во-первых, уменьшает нагрузку локальной шины (нет "лишних"сигналов), во-вторых, позволяет упростить операции ввода-вывода (в операциях пересылки центральный процессор либо контроллер DMA (прямого доступа к памяти - без участия процессора) уже не должен выделять полезную информацию среди служебных стробирующих импульсов и битов четности). В-третьих, все операции ввода/вывода на локальной шине стали управляться одними и теми же синхроимпульсами, что само по себе хорошо.
Хотя SDRAM появилась уже давно, использование ее тормозилось более высокой (на 33%) ценой по сравнению с EDO RAM. "Звездный час" SDRAM настал в 1997 году, после появления чипсета 440BX, работающего на частоте 100 МГц. Вследствие этого доля рынка SDRAM за год выросла в два раза (с 25% в 1997 году до 50% в 1998 году.)
В настоящее время выпускаются модули SDRAM, работающие на частотах 100 и 133 МГц. Также разработаны SDRAM на частоты 143 МГц и выше.
Стоимость DIMM 128M PC133 в розничной продаже составляет приблизительно 20 у.е.
Следующим оригинальным решением, увеличившим частоту работы SDRAM, явилось создание кэша SRAM на самом модуле динамического ОЗУ. Так появилась спецификация Enhanced SDRAM (ESDRAM). Это позволило поднять частоту работы модуля до 200 МГц! Назначение кэша на модуле точно то же, что и у кэша второго уровня процессора: хранение наиболее часто используемых данных.
 
SDRAM II
 
Спецификация SDRAM II (или DDR SDRAM) не имеет полной совместимости с SDRAM. Эта спецификация позволяет увеличить частоту работы SDRAM за счет работы на обеих границах тактового сигнала, то есть на подъеме и спаде. Однако SDRAM II использует тот же 168-контактный разъем DIMM.
Как и SDRAM II, спецификация SLDRAM использует обе границы тактового сигнала и имеет в себе SRAM. Однако благодаря протоколу SynchLink Interface эта память способна работать на частоте до 400 МГц. Причем, как это ни удивительно, цены на DDR-модули памяти и DIMM практически совпадают.
 
Память от Rambus (RDRAM, RIMM)
 
RDRAM представляет собой спецификацию, созданную и запатентованную фирмой Rambus, Inc. Работая на частоте 400 МГц, за счет передачи данных на обеих границах тактового сигнала, этот тип памяти позволяет передавать данные на 800 МГц. Два канала данных (шириной в байт каждый) позволяет получать пиковую пропускную способность в 1,6 Гбайт/с.
Разъем Direct Rambus - это разъем со 168-ю контактами. Контакты расположены на двух сторонах модуля, по 84 с каждой стороны. По существу, RIMM образует непрерывный канал на пути от одного разъема к другому. Поэтому оставлять свободные разъемы недопустимо. Существуют специальные модули называемые continuity modules. Они не содержат чипов памяти и предназначены для заполнения свободных посадочных мест. Ими комплектуются материнские платы, работающие с этим типом памяти.
Модули RIMM имеют размеры, сходные с геометрическими размерами SDRAM DIMMs. Но в отличие от SDRAM DIMM, Direct Rambus может содержать любое целое число чипов памяти (до максимально возможного).
 
Компьютерная память
Устанавливаем память RDRAM или RIMM
 
Один канал Direct Rambus максимум может поддерживать 32 чипа DRDRAM. На материнской плате может использоваться до трех RIMM модулей. Используются 64 Мбитные, 128 Мбитные и 256 Мбитные устройства.
Модуль RIMM 256M PC800 производства Samsung можно приобрести за эквивалент 85 у.е., но мы вам этого делать не советуем, и вот почему.
В данное время все ведущие производители чипсетов (кстати, слово чипсет происходит не от слова чипсы, а представляет собой слово ChipSet - комплект базовой логики материнской платы) отказались от использования этого типа памяти, вследствие непонятной лицензионной политики компании RAMBUS. В дальнейшей судьбе этой памяти очень много тумана, и, скорее всего, мы её увидим в игровых приставках следующего поколения от SONY и различных коммуникационных продуктах.
 
Оперативная кэш-память
 
Как уже отмечалось, для динамической оперативной памяти необходима периодическая ее регенерация. В компьютере это осуществляется централизованно: организуется цикл прямого чтения/записи содержимого динамического ОЗУ. Эта операция осуществляется с помощью специальной микросхемы. В процессе регенерации микропроцессор переходит в режим ожидания, что снижает производительность системы, не менее, чем на 5%.
Минимальный цикл обращения микропроцессора к оперативной памяти состоит из двух состояний шины. Подсчитано, что около 70% всех обращений процессора к шине компьютера составляет чтение команд, 20% - чтение и запись данных, и только оставшиеся 10% составляют обращения к устройствам ввода-вывода.
Для старых персональных компьютеров была характерна одноуровневая система организации памяти. По этой системе разработчики были вынуждены устанавливать дешевые DRAM с быстродействием 80-120 нс, либо применять дорогостоящие SRAM с быстродействием 40-60 нс.
На многих материнских платах можно выбирать между одноуровневой или многоуровневой системами организации памяти. По умолчанию устанавливается режим многоуровневой памяти. Если Вы установите режим одноуровневой памяти, то кэш-память SRAM просто добавляется к адресному пространству основной оперативной памяти. Одноуровневую память лучше использовать, когда внутренний кэш процессора по объему превосходит емкость кэш-памяти на материнской плате.
 
Компьютерная память
SDRAM
 
Логическим продолжением явилось размещение кэш-памяти и ее контроллера не на материнской плате, а на самом процессоре. При этом решаются две задачи: упрощение шины передачи данных и возможность работы кэш-памяти не на частоте шины, а на частоте процессора. Соответственно скорость работы кэш-памяти увеличивается.
 
Компьютерная память
 
Такая память, встроенная в микропроцессоре Pentium, стала использоваться кэш-памятью второго уровня. Благодаря ей скорость работы процессора на тех же системных платах возросла. Необходимо, однако, отметить, что изготовление кэш-памяти второго уровня на кристалле процессора намного увеличивает стоимость самого микропроцессора. Именно для недорогих моделей компьютеров фирма Intel стала изготовлять процессоры без кэша второго уровня или с кэш-памятью меньшего размера. Примером такого процессора является процессор Intel Celeron. Он аналогичен процессору Intel Pentium II, однако либо не содержит кэш второго уровня (в первых моделях), либо он небольшой (в последующих версиях этого процессора.) Благодаря этому упала его цена и (увы!) производительность.
Компания Intel и по сей день продолжает традицию выпуска двух линеек процессоров отличающихся лишь тактовой частотой и размером кэша.
 
Постоянное запоминающее устройство
 
Кроме оперативной памяти, под термином "память" мы будем подразумевать постоянную и CMOS- память.
К постоянной памяти относят постоянное запоминающее устройство, ПЗУ (в англоязычной литературе - Read Only Memory, ROM, что дословно переводится как "память только для чтения", записать в нее что-либо, изменить или удалить не удастся), перепрограммируемое ПЗУ, ППЗУ (в англоязычной литературе - Programmable Read Only Memory, PROM), и флэш-память (flash memory). Название ПЗУ говорит само за себя. Информация в ПЗУ записывается на заводе-изготовителе микросхем памяти, и в дальнейшем изменить ее значение нельзя. В ПЗУ хранится критически важная для компьютера информация, которая не зависит от выбора операционной системы. Программируемое ПЗУ отличается от обычного тем, что информация на этой микросхеме может стираться специальными методами (например, лучами ультрафиолета), после чего пользователь может повторно записать на нее информацию ("перепрошить" ПЗУ). Эту информацию будет невозможно удалить до следующей операции стирания информации.
 
Флэш-память
 
Особо следует рассказать о флэш-памяти. Flash по-английски - это "вспышка, проблеск". Такое название она получила вследствие того, что все данные стирались за раз. В дальнейшем разработчики решили этот вопрос, и сейчас данные в флеш-памяти могут стираться как побайтно, так и постранично. Флэш-память является энергонезависимой памятью, (как и ПЗУ и ППЗУ). При выключении компьютера ее содержимое сохраняется. Однако содержимое flash-памяти можно многократно перезаписывать, не вынимая ее из компьютера (в отличие от ППЗУ). Запись происходит медленнее, чем считывание, и осуществляется импульсами повышенного напряжения. Вследcтвие этого, а также из-за высокой стоимости, флэш-память не заменит микросхемы ОЗУ. Широкая популярность этого типа памяти вызвана прежде всего появлением большого количества компактных устройств (телефоны/смартфоны, КПК, MP3-players, цифровые фотоаппараты, цифровые диктофоны….), где необходимо иметь энергонезависимую память.
Flash-память можно классифицировать по технологии изготовления (NAND, NOR, MLC) и применяемому интерфейсу (Compact Flash, Secure Digital, Smart Media, Memory Stick, Multi Media Card, xDPicture Card). Большую долю рынка занимает Flash- память Compact Flash благодаря своему высокому быстродействию и большим обьёмам.
 
Компьютерная память
Линия мыши Рис. О.Локтев
 
CMOS-память
 
CMOS-память - энергозависимая, перезаписываемая память, которая при своей работе, однако, почти не потребляет энергии. CMOS является аббревиатурой complementary metal oxode semiconductor – комплиментарный (дополняющий) металло-оксидный полупроводник. Достоинства этой памяти - низкое потребление энергии, высокое быстродействие. В CMOS-памяти компьютера находятся важные для его работы настройки, которые пользователь может менять для оптимизации работы компьютера. Питается эта память от небольшого аккумулятора-таблетки, установленного на материнской плате.
 
Ликбез
 
Как устроена память?
 
Память компьютера построена из двоичных запоминающих элементов - битов, объединенных в группы по 8 битов, которые называются байтами. (Единицы измерения памяти совпадают с единицами измерения информации). Все байты пронумерованы. Номер байта называется его адресом.
Современные компьютеры имеют много разнообразных запоминающих устройств, которые сильно отличаются между собой по назначению, временным характеристикам, объёму хранимой информации и стоимости хранения одинакового объёма информации.
Различают два основных вида памяти - внутреннюю и внешнюю.
 
Какие устройства образуют внутреннюю память?
 
В состав внутренней памяти входят оперативная память, кэш-память и специальная память.
Оперативная память
Оперативная память (ОЗУ, англ. RAM, Random Access Memory - память с произвольным доступом) - это быстрое запоминающее устройство не очень большого объёма, непосредственно связанное с процессором и предназначенное для записи, считывания и хранения выполняемых программ и данных, обрабатываемых этими программами.
Оперативная память используется только для временного хранения данных и программ, так как, когда машина выключается, все, что находилось в ОЗУ, пропадает. Доступ к элементам оперативной памяти прямой - это означает, что каждый байт памяти имеет свой индивидуальный адрес.
Объем ОЗУ обычно составляет от 128 Мбайт и выше, а для эффективной работы современного программного обеспечения желательно иметь не менее 256 Мб ОЗУ. Обычно ОЗУ исполняется из интегральных микросхем памяти DRAM (Dynamic RAM - динамическое ОЗУ). Микросхемы DRAM работают медленнее, чем другие разновидности памяти, но стоят дешевле.
Каждый информационный бит в DRAM запоминается в виде электрического заряда крохотного конденсатора, образованного в структуре полупроводникового кристалла. Из-за токов утечки такие конденсаторы быстро разряжаются, и их периодически (примерно каждые 2 миллисекунды) подзаряжают специальные устройства. Этот процесс называется регенерацией памяти (Refresh Memory).
Важная характеристика модулей памяти - время доступа к данным, которое обычно составляет 60 - 80 наносекунд.
 
Кэш-память
 
Кэш (англ. cache), или сверхоперативная память - очень быстрое ЗУ небольшого объёма, которое используется при обмене данными между микропроцессором и оперативной памятью для компенсации разницы в скорости обработки информации процессором и несколько менее быстродействующей оперативной памятью.
Кэш-памятью управляет специальное устройство - контроллер, который, анализируя выполняемую программу, пытается предвидеть, какие данные и команды вероятнее всего понадобятся в ближайшее время процессору, и подкачивает их в кэш-память. При этом возможны как "попадания", так и "промахи". В случае попадания, то есть, если в кэш подкачаны нужные данные, извлечение их из памяти происходит без задержки. Если же требуемая информация в кэше отсутствует, то процессор считывает её непосредственно из оперативной памяти. Соотношение числа попаданий и промахов определяет эффективность кэширования.
Кэш-память реализуется на микросхемах статической памяти SRAM (Static RAM), более быстродействующих, дорогих и малоёмких, чем DRAM.
Современные микропроцессоры имеют встроенную кэш-память, так называемый кэш первого уровня размером до 512 Кбайт. Кроме того, на системной плате компьютера может быть установлен кэш второго уровня ёмкостью от 64 Кбайт до 512 Кбайт и выше.
 
Специальная память
 
К устройствам специальной памяти относятся постоянная память (ROM), перепрограммируемая постоянная память (Flash Memory), память CMOS RAM, питаемая от батарейки, видеопамять и некоторые другие виды памяти.
Постоянная память (ПЗУ, англ. ROM, Read Only Memory - память только для чтения) - энергонезависимая память, используется для хранения данных, которые никогда не потребуют изменения. Содержание памяти специальным образом "зашивается" в устройстве при его изготовлении для постоянного хранения. Из ПЗУ можно только читать.
Перепрограммируемая постоянная память (Flash Memory) - энергонезависимая память, допускающая многократную перезапись своего содержимого с дискеты.
Прежде всего в постоянную память записывают программу управления работой самого процессора. В ПЗУ находятся программы управления дисплеем, клавиатурой, принтером, внешней памятью, программы запуска и остановки компьютера, тестирования устройств.
Важнейшая микросхема постоянной или Flash-памяти - модуль BIOS.
BIOS (Basic Input/Output System - базовая система ввода-вывода) - совокупность программ, предназначенных для:
- автоматического тестирования устройств после включения питания компьютера;
- загрузки операционной системы в оперативную память.
Роль BIOS двоякая: с одной стороны это неотъемлемый элемент аппаратуры (Hardware), а с другой стороны - важный модуль любой операционной системы (Software).
Разновидность постоянного ЗУ - CMOS RAM.
CMOS RAM - это память с невысоким быстродействием и минимальным энергопотреблением от батарейки. Используется для хранения информации о конфигурации и составе оборудования компьютера, а также о режимах его работы.
Интегральные схемы BIOS и CMOS
Содержимое CMOS изменяется специальной программой Setup, находящейся в BIOS (англ. Set-up - устанавливать, читается "сетап").
Для хранения графической информации используется видеопамять.
Видеопамять (VRAM) - разновидность оперативного ЗУ, в котором хранятся закодированные изображения. Устанавливается на видеокарту. Это ЗУ организовано так, что его содержимое доступно сразу двум устройствам - процессору и дисплею. Поэтому изображение на экране меняется одновременно с обновлением видеоданных в памяти.
 
 
 
 
 

 
 
На главную страницу На предыдущую страницу На начало страницы
 
 
 
 
 
2009 - 2017 © СПД Зайцев А.Б.
Сайт является средством массовой информации.
При перепечатке и цитировании в печатных СМИ ссылка на журнал "Компьютер" обязательна.
При перепечатке и цитировании в Интернете обязательна активная гиперссылка на сайт Comput.com.ua, не закрытая для индексирования.
Украина онлайн Рейтинг@Mail.ru Рейтинг Сайтов YandeG